中國對無人機實施出口管制，商務部/大疆回應；華天科技L-PAMiD SiP封裝實現(xiàn)射頻模組創(chuàng)新；臺積電CoWoS產(chǎn)能告急誰能分食
2.國產(chǎn)射頻前端模組高端化進程加速，華天科技L-PAMiD SiP封裝助力國產(chǎn)射頻模組突圍
4.機構：中國Q2智能手機銷量創(chuàng)2014年以來Q2最低水平，vivo奪冠
7.鴻海計劃投資5億美元在印度南部建設兩家零部件工廠 生產(chǎn)iPhone零部件
集微網(wǎng)消息 為探索汽車與半導體兩大產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展與多重挑戰(zhàn)下的產(chǎn)業(yè)破局之道，2023年9月8-9日，由《中國汽車報》社、中國半導體投資聯(lián)盟聯(lián)合主辦，愛集微承辦的“2023汽車半導體生態(tài)峰會暨全球汽車電子博覽會”將在新能源汽車與半導體產(chǎn)業(yè)鏈均擁有強勢布局的深圳舉辦。
展望市場，汽車半導體已成為推進智能電動汽車變革的關鍵核心。這幾年，乘著汽車智能化、電動化、網(wǎng)聯(lián)化浪潮，汽車半導體的市場需求不斷攀升。更為關鍵的是，要鞏固中國車企在電動化智能化領域的成果，持續(xù)做大做強，汽車芯片的國產(chǎn)化必須要做。得益于政策、需求、企業(yè)以及資本多重因素的同頻共振，中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)取得了一些進展，但需要正視，國產(chǎn)技術還很薄弱，本土汽車芯片廠商在與車企、供應鏈對接中還存在諸多問題與不足，汽車芯片國產(chǎn)化之路道阻且長。
正是秉持貫通汽車半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)融合之路，更好地打通汽車上下游生態(tài)，以推動中國智能電動汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大的理念，在前兩屆峰會努力構建生態(tài)所取得的積淀與成績上，本屆峰會在形式與內(nèi)容上大幅升級與革新，為期2天的會議日程將囊括20場特色活動。屆時，來自政府、產(chǎn)業(yè)、企業(yè)、投資機構等領域的重磅嘉賓將匯聚一堂，縱覽全局，解碼全球以及中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)的核心問題、發(fā)展脈絡，并深入剖析各汽車半導體細分領域的發(fā)展現(xiàn)狀、機遇和挑戰(zhàn)，呈現(xiàn)出一幅綜合而全面的思想圖景，兼具高度、深度和廣度。
“2023汽車半導體生態(tài)峰會暨全球汽車電子博覽會”日程現(xiàn)已出爐，更多精彩亮點可提前解鎖！
本屆峰會規(guī)格高、陣容強、干貨滿滿，致力于全面覆蓋汽車產(chǎn)業(yè)鏈上下游各細分領域，吸引匯聚政、產(chǎn)、學、研、用、投等多個產(chǎn)業(yè)圈層，打造集高端行業(yè)洞見、資本與資源于一體的行業(yè)生態(tài)盛宴。
遵循本屆峰會“鏈啟芯程 智造未來”的主題思想，在大咖云集、觀點激蕩的“主峰會”上，國內(nèi)外整車制造企業(yè)、汽車零部件制造廠商、集成電路企業(yè)等公司高管將齊聚一堂，共話智能電動汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，對汽車供應鏈關系重塑的思考，汽車半導體的未來展望以及中國汽車產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢等熱點議題。
多場技術分論壇的議題設置更為細分，將囊括當下的汽車電子熱點技術，具體涵蓋智能座艙、智能底盤、投融資、動力總成、軟件定義汽車、ADAS與自動駕駛、車規(guī)芯片等領域。
進入智能電動時代，汽車供應鏈關系的重塑已經(jīng)展開，產(chǎn)業(yè)鏈上下游正逐漸打破原本的層級隔閡，深度聯(lián)系與合作，以確保產(chǎn)業(yè)韌性和行業(yè)健康。隨著汽車半導體在智能電動時代的作用日益重要，以及中國車企要在智能電動這一賽道做大做強的決心，車企、供應鏈與芯片供應商關系的轉(zhuǎn)變更為明顯。
作為推動汽車芯片國產(chǎn)化率提升的中流砥柱，越來越多的自主品牌車企設定了車規(guī)級芯片國產(chǎn)化率的目標。例如，根據(jù)上汽規(guī)劃，將在2023年底前完成100款本土自制芯片的整車驗證；東風汽車集團表示，到2025年將實現(xiàn)車規(guī)級芯片國產(chǎn)化率60%，并挑戰(zhàn)80%……車企態(tài)度的轉(zhuǎn)變，代表了他們在實際的合作中逐漸看到了供應鏈本土化的可能性，以及對國產(chǎn)芯片的期待越來越高，當然因為車規(guī)芯片技術本身難度高和過往積累淺，深度認同和合作還需要一個時間過程。
更為重磅也將備受業(yè)內(nèi)矚目的是，為搭建產(chǎn)業(yè)融合與交流的平臺和窗口，今年峰會特別設置了邀請制的汽車產(chǎn)業(yè)鏈高層閉門研討會、車規(guī)芯片國產(chǎn)替代交流會、行業(yè)專家面對面環(huán)節(jié)，在緊跟國家重點發(fā)展汽車半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略方向下，凝聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游的能量，合力突破與解決中國汽車供應鏈中汽車半導體這一矛盾，以保障汽車供應鏈安全，提升產(chǎn)業(yè)鏈韌性，讓中國汽車行業(yè)在全球走得更好更遠。
近幾十年來，中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了諸多變革，現(xiàn)已邁向產(chǎn)業(yè)新常態(tài)。在產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，新技術、新模式、新業(yè)態(tài)等不斷涌現(xiàn)，中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)正成為當下最具潛力的賽道之一。
值此背景下，集微咨詢（JW Insights）將攜手《中國汽車報》社在峰會期間聯(lián)合發(fā)布《中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》。該白皮書立足汽車“新三化”發(fā)展背景，重點聚焦中國汽車半導體中的功率芯片、控制芯片、計算芯片、傳感芯片、存儲芯片等細分領域，針對汽車五大域?qū)ι鲜鲂酒袌鲂枨蟮脑鲩L情況、國產(chǎn)芯片進展、下游客戶應用情況、供應鏈保障、產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設、投融資情況等方面作詳細的分析，以勾勒呈現(xiàn)出中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)鏈的全景需求圖。
《中國汽車半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》將集合中國本土汽車半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，以更專業(yè)的領域細分、更全面的產(chǎn)業(yè)分析，全方位展示 “中國速度” ，輔助本土市場創(chuàng)造更多價值與增長，實現(xiàn)新能源時代的企業(yè)持續(xù)發(fā)展與騰飛。
2023年，對中國汽車電子產(chǎn)業(yè)整體而言是極不平凡的一年。一方面，中國汽車產(chǎn)業(yè)整體競爭力令世界震撼，另一方面，汽車電子作為全球半導體整體市場的重要組成部分，同樣在期盼著市場筑底時刻的拐點到來。
鑒于此，與汽車半導體生態(tài)峰會暨全球汽車電子博覽會一同成長的第三屆的“分析師大會”，將在全面深入調(diào)研前兩屆受眾需求的基礎上，進一步突出“數(shù)據(jù)校準、有效對接、導向未來”三大目標的實現(xiàn)。
為此，本次分析師大會演講主題將全方位涵蓋汽車電子行業(yè)重點關注的動力總成、智能座艙、自動駕駛等等，還包括車規(guī)級傳感器和化合物功率半導體的技術落地新動向，此外，“軟件定義汽車”大潮下帶來的政策監(jiān)管和數(shù)據(jù)隱私保護等問題也不可忽視。此次分析師大會務求匯聚最鮮活、最前沿的技術與市場分析，為廣大半導體企業(yè)、投資機構和專業(yè)學者提供關鍵信息和價值參考等資源，以及助力產(chǎn)業(yè)企業(yè)健康有序和可持續(xù)發(fā)展。
匯聚全球頂級“頭腦風暴”的全球汽車電子分析師大會購票通道已開啟，早鳥票正以500元超低價火熱開售中，截止時間為9月1日。此后，將不再享受早鳥票優(yōu)惠價，即9月2日至9月7日，普通票售價為800元，而9月8日現(xiàn)場購票價為1000元。限時搶購火爆進行中，機不可失、席位有限，歡迎踴躍報名！ 群星薈萃、洞察未來，更多精彩敬請期待！
此外，為促進汽車電子新產(chǎn)品、新技術、新材料、新工藝及新裝備的推廣與經(jīng)貿(mào)交流，本屆峰會將重金升級打造全球汽車電子博覽會，展示范圍覆蓋汽車電子技術、車聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、新能源汽車、零部件及測試等各個領域。相比往屆，本屆博覽會展示規(guī)模再擴大，將設置四大專區(qū)，即“汽車電子技術專區(qū)”、“車聯(lián)網(wǎng)專區(qū)”、“自動駕駛專區(qū)”、“新能源汽車專區(qū)”，并在展區(qū)中間設置“新品汽車展區(qū)”，為企業(yè)提供豐富的展示機會，推動汽車半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調(diào)合作、互利共贏。
本著與全球汽車電子全產(chǎn)業(yè)鏈共識、共贏、共發(fā)展的理念，還特別邀請對本屆汽車博覽會有興趣的品牌和廠商共同參與、共襄盛舉，發(fā)出“汽車博覽會贊助商合作伙伴計劃”，旨在推進全球半導體組織、企業(yè)有效交流合作，共同積極迎接汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈重大發(fā)展機遇。
多位重量級嘉賓的演講與詳細議程，隨后也即將公布，歡迎持續(xù)關注并踴躍參與，讓我們一起期待這一場即將開啟的行業(yè)頂級交流盛宴。
2.國產(chǎn)射頻前端模組高端化進程加速，華天科技L-PAMiD SiP封裝助力國產(chǎn)射頻模組突圍
過去十多年來，手機通信功能發(fā)生了翻天覆地的變化。一方面通信制式從針對地區(qū)和運營商的特定設計向“全球通”設計轉(zhuǎn)變，另一方面通信技術從2G向5G演進，得以實現(xiàn)這一巨大變革的原因正是功率放大器（PA）、濾波器、天線、開關和低噪聲放大器（LNA）等支撐通信功能的射頻器件的不斷升級換代。隨著手機智能化提升，需要支持的通信頻段、交互通道增多、帶寬變大，對射頻前端器件的數(shù)量和功能要求大幅提升，手機中的射頻前端方案日益集成化、小型化、模組化，高集成度射頻前端模組已是大勢所趨。
受5G滲透率提升的驅(qū)動，Yole數(shù)據(jù)顯示射頻前端市場規(guī)模在2021年達到了190億美元，預計到2028年將增長至269億美元；進入2022年后，全球消費電子市場持續(xù)低迷，射頻前端市場基本與2021年持平，但中長期來看，這一市場仍然充滿前景。
近幾年在國內(nèi)龐大的終端市場需求、國產(chǎn)替代浪潮及資本加持下，中國射頻前端產(chǎn)業(yè)發(fā)展步入快軌，一批具有代表性的射頻前端企業(yè)不斷涌現(xiàn)。不過，雖然5G技術的應用進一步拉升了射頻前端器件市場空間，但國內(nèi)廠商一時間難攻破由Skyworks、高通、Qorvo、博通與村田等國際射頻巨頭建立的市場壁壘，在行業(yè)進入下一個高速增長周期前，本土射頻前端產(chǎn)業(yè)鏈從設計、制造到封測，向模組化、高端化市場進階的需求日益迫切。
根據(jù)集成方式的不同，射頻前端模組主集天線射頻鏈路包括FEMiD（集成射頻開關、濾波器和雙工器）、PAMiD（集成多模式多頻帶PA和FEMiD）、L-PAMiD（LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD）等；分集天線射頻鏈路可分為DiFEM（集成射頻開關和濾波器）、LFEM(集成射頻開關、低噪聲放大器和濾波器)等。
由上圖射頻前端模組的組成結(jié)構不難看出，L-PAMiD模組是集成了目前常見的分立多模多頻PA、LNA、射頻開關、濾波器以及雙工器等獨立射頻器件的射頻前端模組，也是目前集成度最高、設計難度最大、封裝工藝最復雜的射頻前端模組。這類高端射頻模組的市場，目前主要由美商博通、Qorvo、Skyworks、高通（RF360）等廠商占據(jù)。
從Qorvo公司M/H L-PAMiD模組可見，該類產(chǎn)品集成了17顆BAW，2顆GaAs HBT，以及6顆SoI和1顆CMOS控制器，設計以及封裝技術難度堪稱射頻前端領域最高。相比于單顆分立PA芯片的價格已經(jīng)降到幾十美分，這類復雜模組的售價可以達到3~4美元甚至更高。因此射頻模組是未來射頻前端器件的必然之路，有望成為競爭的主戰(zhàn)場。
Yole預測，到2026年，射頻前端模組市場規(guī)模將達到155.38億美元，約占射頻芯片市場的71.70%。其中接收模組市場規(guī)模將達到33.39億美元，發(fā)射端PA模組市場規(guī)?？蛇_到94.82億美元。目前智能手機中高端機型多使用集成度高的PAMiD/L-PAMiD方案，但中低端機型也開始配置L-PAMiD，方案呈現(xiàn)下沉趨勢。
觀察國內(nèi)射頻前端產(chǎn)業(yè)，當前已經(jīng)在PA、開關、天線等領域取得了令人欣喜的成績，例如在2G至4G的單顆分立PA上國產(chǎn)廠商占據(jù)了全球市場的主導地位，5G PA市占率也在穩(wěn)步提升，射頻開關/LNA領域更是誕生了全球龍頭企業(yè)。
但模組方面，即使是簡單的5G PAMiF和LFEM模組領域，國內(nèi)也才起步量產(chǎn)2年左右，由于設計集成難度大且受制于沒有自己的SAW 和BAW技術，大部分企業(yè)只能從國外大廠采購濾波器，這又面臨供應受限的可能，因此國內(nèi)幾家領先的射頻公司也才剛起步研發(fā)和小量試產(chǎn)L-PAMiD SiP模組，相比于上文提及的4家美國射頻巨頭公司落后了5年以上的時間。
可喜的是，國內(nèi)眾多射頻前端企業(yè)早已聚焦于研發(fā)生產(chǎn)SAW和BAW濾波器，在研發(fā)和工藝提升方面都取得了重大的進步，開始有能力為國內(nèi)射頻前端模組的設計、研發(fā)和生產(chǎn)提供保障。雖然在性能指標和工藝制程方面與國際巨頭仍有不小的差距，但是已經(jīng)可以滿足基本要求，模組設計公司也要在實際使用過程中不斷和國內(nèi)濾波器廠家進行合作試用、找差、改進、再試用的循環(huán)推進，共同保障國內(nèi)高端射頻PAMiD SiP模組的設計研發(fā)和生產(chǎn)供應，在努力追趕國外巨頭技術的同時，做到關鍵器件的國產(chǎn)替代和自主可控。
射頻前端模組作為高度集成的器件，核心在于需要極強的系統(tǒng)整合能力，對整個模組架構、設計、封測都提出了更高的要求，包括簡化設計、小型化、降低能耗、降低解決方案成本、提高系統(tǒng)性能等諸多方面。除了設計，射頻前端模組對封測能力也提出了更高的要求。
例如2022年華天科技率先與國內(nèi)2家射頻設計公司合作研發(fā)的L-PAMiD模組，產(chǎn)品設計要求在更小的尺寸上實現(xiàn)產(chǎn)品功能的高度集成帶來了產(chǎn)品內(nèi)部的高密度貼裝，其中被動元器件間距、WLP與die間距、die to die間距等都在突破現(xiàn)有封裝設計規(guī)則，這給SMT貼裝、清洗、塑封等制程帶來了巨大的挑戰(zhàn)，GaAs芯片容易發(fā)生crack、SAW（WLCSP封裝）濾波器的bumpvoid 和虛焊問題，以及挑戰(zhàn)目前SMT貼裝極限能力的008004（公制0201）MLCC器件的貼裝和塑封完全填充，都是L-PAMiD模組封裝過程中要解決的工藝難點。
此外，對于SiP而言，由于系統(tǒng)級封裝內(nèi)部走線的密度非常高，普通的PCB難以承載；而IC載板的多層數(shù)+低線寬線距則更加契合SiP要求，更適合作為SiP的封裝載體。為了追求產(chǎn)品極致性能和高可靠性，華天科技協(xié)同客戶開發(fā)的L-PAMiD模組采用了coreless工藝的8層基板，要求基板側(cè)面有多層漏銅來增強EMI Shielding電磁屏蔽性能，且模組背面四角焊盤使用綠油開窗增大焊盤面積提升產(chǎn)品板級可靠性；這些特殊設計在封裝過程中產(chǎn)生諸工藝難題，如成品切割時的基板綠油分層、側(cè)面銅層氧化/變形、Sputter溢鍍和鍍層分層等，給產(chǎn)品封裝帶來了很大的工藝難度。
華天科技指出，從最簡單的分集模組DiFEM、LiFEM到集成度最高的L-PAMiD等主集模組，實現(xiàn)的功能越來越多，也要求越來越多的分立器件集成在一個模組中，而且手機要求模組的尺寸越小越好，這對產(chǎn)品設計帶來了極大地挑戰(zhàn)，需要不斷突破現(xiàn)有的設計規(guī)則上限。此外，模組中集成的不同濾波器采用了不同的材料和制造工藝，包含了LTCC、WLP和CSP三種主要的封裝形式，在模組封裝中都面臨不同的挑戰(zhàn)。比如LTCC主要需解決焊接后傾斜和塑封完全填充的封裝難題；WLP主要需要解決bump虛焊和bump void的封裝難題；CSP則最主要是解決背面焊盤焊接后的錫膏空洞過大和塑封完全填充的難題。
因此隨著模組中器件的密集度更高，如何保證封裝中的貼裝精度、焊接后徹底清洗干凈、塑封完全填充嚴實、EMI shiedling的全覆蓋和結(jié)合性、產(chǎn)品可以經(jīng)受嚴格可靠性考核等都是模組封裝面臨的重要考驗。
5G到來之后，手機終端需要支持更多的頻段。并且5G定義了3GHz以上、6GHz以下的超高頻（UHB）頻段，對射頻前端性能提出了更高要求，單部手機中的射頻前端模塊數(shù)量不斷增加，以往射頻前端模組所采用的單面SiP逐漸無法滿足有限空間的小型化要求，DSMBGA（Double Side Molding BGA）雙面塑封BGA SiP工藝走上舞臺，并逐漸成為行業(yè)技術的未來發(fā)展方向。
DSMBGA主要用于射頻前端模組領域，將原先的單面SiP模組做成雙面后，模組的外形尺寸減少20%以上，產(chǎn)品厚度只增加不到0.2mm，而且將多個頻段集成在一個模組實現(xiàn)，可以更好地滿足手機對模組更小尺寸、更全性能的要求。
伴隨著國產(chǎn)射頻前端模組向最高集成度穩(wěn)步邁進，國內(nèi)可與之匹配的先進封裝技術的同步發(fā)展也迫在眉睫。
華天科技自2015年開始射頻PA產(chǎn)品的封裝技術研發(fā)和生產(chǎn)工作，客戶覆蓋國內(nèi)主要PA設計公司。從早期的2G/3G/4G PA，到近兩年的5G PA模組封裝都保持著國內(nèi)封裝廠商的領先地位和主要市場份額。
在射頻前端模組領域，華天科技早在2019年協(xié)同客戶一起進行5G L-PAMiF和L-FEM模組套片的封裝工藝研發(fā)和工程樣品試制。針對GaAs FC die的特殊材質(zhì)和bump結(jié)構易發(fā)生UBM crack、bump crack的高風險點，華天科技基于內(nèi)部仿真數(shù)據(jù)指導，和多年單顆分立射頻器件封裝經(jīng)驗積累，從基板設計、塑封料選擇、超薄鋼網(wǎng)小顆粒錫膏的連續(xù)穩(wěn)定印刷、化學水洗工藝匹配、塑封工藝優(yōu)化等多個技術難題進行了攻關突破，成功保證了5G L-PAMiF和L-FEM模組在國內(nèi)率先量產(chǎn)，目前已經(jīng)累計出貨過億顆，未發(fā)生產(chǎn)品質(zhì)量異?？驮V?？蛻舢a(chǎn)品性能優(yōu)異，比肩國際競商產(chǎn)品，也率先進入三星、vivo等手機品牌供應鏈。
華天科技射頻前端模組產(chǎn)品技術路線G L-PAMiF模組的研發(fā)生產(chǎn)保持國內(nèi)封裝廠商領先地位的基礎上，基于過去3年積累的量產(chǎn)經(jīng)驗，華天科技于2022開始在L-PAMiD模組上集中工程力量進行技術攻關，通過大量的工程DOE實驗，成功解決了前文列舉的各項封裝工藝難題，封裝產(chǎn)品通過了客戶的性能測試和多次可靠性考核，僅用時5個月就實現(xiàn)了產(chǎn)品從NPI build到100K再到KK級的量產(chǎn)規(guī)模，產(chǎn)品封裝測試良率、可靠性均滿足客戶要求，再次取得了射頻模組封裝工藝研發(fā)和規(guī)模量產(chǎn)在國內(nèi)封裝廠商的領先地位。
2023年以來，華天科技與多家射頻設計公司聯(lián)合進行DSMBGA產(chǎn)品的封裝工藝研發(fā)，封裝技術的主要挑戰(zhàn)在于如何保證塑封后的基板翹曲平整度、密集器件和濾波器、die的塑封完全填充、strip grinding精度控制和防止die crack、激光燒球準確度控制、EMI共形屏蔽和分腔屏蔽實現(xiàn)等等。目前，華天科技已基本解決以上封裝工藝難題，雙面塑封產(chǎn)品線月底已經(jīng)完成國內(nèi)某客戶首個產(chǎn)品工程樣品的客戶送樣，年內(nèi)有望實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)悉，華天科技目前正和客戶合作研發(fā)迄今為止國內(nèi)封裝廠最復雜的DSMBGA產(chǎn)品，在技術攻關和量產(chǎn)實現(xiàn)后，華天科技不僅將持續(xù)保持國內(nèi)射頻模組SiP封裝的領頭羊地位，還將極大地刺激和鼓勵國內(nèi)射頻前端設計公司向雙面塑封方向投入研發(fā)，助力客戶追趕國外射頻巨頭如Skyworks、Qrovo、博通等企業(yè)，為國產(chǎn)射頻前端產(chǎn)業(yè)添磚加瓦！
集微網(wǎng)消息，據(jù)商務部網(wǎng)站消息，商務部、海關總署、國家國防科工局、裝備發(fā)展部發(fā)布關于對無人機相關物項實施出口管制的公告，自2023年9月1日起正式實施。
有記者提問稱，7月31日，商務部、海關總署、國家國防科工局、裝備發(fā)展部聯(lián)合發(fā)布了關于無人機出口管制的兩個公告。請問中方此次出臺對無人機出口管制政策，有什么考慮？
商務部發(fā)言人表示，經(jīng)批準，7月31日，中國商務部會同相關部門，發(fā)布兩個關于無人機出口管制的公告，分別對部分無人機專用發(fā)動機、重要載荷、無線電通信設備和民用反無人機系統(tǒng)等實施出口管制，對部分消費級無人機實施為期2年的臨時出口管制，同時，禁止其他未列入管制的所有民用無人機出口用于軍事目的。上述政策將于9月1日起正式施行。此前，我們已經(jīng)向有關國家和地區(qū)作了通報。
商務部發(fā)言人稱，高性能無人機具有一定軍用屬性，對其實施出口管制是國際慣例。2002年起，中國逐步對無人機實施出口管制，管制范圍、技術標準與國際保持一致。近年來，無人機技術快速發(fā)展，應用場景不斷拓寬，部分高規(guī)格高性能的民用無人機轉(zhuǎn)用軍事風險不斷上升。中國作為無人機主要生產(chǎn)國和出口國，在充分評估論證的基礎上，決定適度擴大對無人機的出口管制，不針對任何特定國家和地區(qū)。
商務部發(fā)言人強調(diào)，中國政府始終致力于維護全球安全和地區(qū)穩(wěn)定，一貫反對將民用無人機用于軍事目的。此次中方適度擴大無人機管制范圍，是展現(xiàn)負責任大國擔當、踐行全球安全倡議、維護世界和平的重要舉措。中方始終認為，科技進步應當造福各國人民。中國政府堅定支持中國企業(yè)在民用領域開展無人機國際貿(mào)易與合作。需要指出的是，出口管制不是禁止出口。只要用于合法民事用途，在履行相關程序后，都可以正常出口。未來，對于內(nèi)部合規(guī)制度運行良好的出口企業(yè)，主管部門將積極采用通用許可等便利措施，支持企業(yè)合規(guī)出口。
大疆回應：據(jù)環(huán)球時報消息，大疆已對新出臺的出口管制做出回應：“大疆作為一家全球化企業(yè)，在出口管制領域始終保持嚴謹負責的態(tài)度。大疆一直嚴格遵守并執(zhí)行中國及其他業(yè)務所在國或地區(qū)所適用的出口管制法律法規(guī)?！?
對于公告的相關要求，大疆方面表示，大疆始終致力于設計、開發(fā)、制造民用無人機產(chǎn)品。自成立之初，我們一直堅決反對將我司產(chǎn)品和技術用于任何軍事或戰(zhàn)爭用途。我們從未設計和制造過軍事用途的產(chǎn)品和設備，也從未在任何國家推銷或銷售我們的產(chǎn)品用于軍事沖突或戰(zhàn)爭。我們也將嚴格遵守中國政府今日發(fā)布的無人機臨時出口管制政策，確保全面合規(guī)，認真履行企業(yè)社會責任，讓科技更好造福人類。
公告原文如下：根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關法》有關規(guī)定，為維護國家安全和利益，經(jīng)國務院、批準，決定對特定無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇相關物項實施出口管制。有關事項公告如下：
?。ǘM足一定技術指標的專門用于特定無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇的載荷，包括紅外成像設備、合成孔徑雷達和用于目標指示的激光器。
2.作用距離大于5千米（km），且具有下述任一特性的合成孔徑雷達（SAR）（參考海關商品編號：8526109011）：
3.可在高于55攝氏度（℃）環(huán)境中穩(wěn)定工作，且具有下述任一特性的用于目標指示的激光器（參考海關商品編號：9013200093）：
?。ㄈｉT用于特定無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇，且具有下述任一特性的無線電通信設備（參考海關商品編號：8517629910、8517691002、8526920010）：
1.干擾范圍大于5千米（km）的反無人機電子干擾設備（參考海關商品編號：8543709960）；
2.專門用于反無人機系統(tǒng)的輸出功率大于1.5千瓦（kW）的高功率激光器（參考海關商品編號：9013200093）。
技術說明：“特定無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇”是指滿足商務部、海關總署公告2015年第31號（《關于加強部分兩用物項出口管制的公告》）中1.1款所列條件的無人駕駛航空飛行器或無人駕駛飛艇。
二、出口經(jīng)營者應按照相關規(guī)定辦理出口許可手續(xù)，通過省級商務主管部門向商務部提出申請，填寫兩用物項和技術出口申請表并提交下列文件：
三、商務部應當自收到出口申請文件之日起進行審查，或者會同有關部門進行審查，并在法定時限內(nèi)作出準予或者不予許可的決定。
對國家安全有重大影響的本公告所列物項的出口，商務部會同有關部門報國務院批準。
四、經(jīng)審查準予許可的，由商務部頒發(fā)兩用物項和技術出口許可證件（以下簡稱出口許可證件）。
五、出口許可證件申領和簽發(fā)程序、特殊情況處理、文件資料保存年限等，依照商務部、海關總署令2005年第29號（《兩用物項和技術進出口許可證管理辦法》）的相關規(guī)定執(zhí)行。
六、出口經(jīng)營者應當向海關出具出口許可證件，依照《中華人民共和國海關法》的規(guī)定辦理海關手續(xù)，并接受海關監(jiān)管。海關憑商務部簽發(fā)的出口許可證件辦理驗放手續(xù)。
七、出口經(jīng)營者未經(jīng)許可出口、超出許可范圍出口或有其他違法情形的，由商務部或者海關等部門依照有關法律法規(guī)的規(guī)定給予行政處罰。構成犯罪的，依法追究刑事責任。
統(tǒng)計顯示，4月和5月，中國智能手機銷量疲軟，而6月“618”電商購物節(jié)，提振銷量實現(xiàn)25%的環(huán)比增長。然而今年“618”促銷季（6月1日~18日）的表現(xiàn)相比去年下降8%，拖累整個6月的銷量也同比下降6%。
分廠商來看，機構統(tǒng)計顯示二季度vivo（包括iQOO）銷量占比17.7%重新奪得市場領先地位，Y35系列、Y8系列和新發(fā)布的S17系列表現(xiàn)強勁。在經(jīng)濟不景氣的環(huán)境下，高端市場更具有韌性，蘋果銷量同比增長7%，市場份額17.2%位居第二。OPPO（包括一加）和蘋果不相上下，以17.2%的份額并列第二。
機構表示，在OPPO的渠道支持下，一加保持了自2023年第一季度以來強勁的增長勢頭，第二季度實現(xiàn)254%的同比增長。另一方面，一加采用以線上電商平臺為中心的商業(yè)模式，有效開發(fā)這一細分市場，大力彌補了OPPO線上電商業(yè)務的不足。
華為2023年的產(chǎn)品發(fā)布回歸正常，供貨充足，因此二季度銷量同比大漲58%，市場份額也恢復至第六位，占比達11.3%。
由于競爭加劇，二季度榮耀銷量同比下滑21%，小米下滑9%，以15.0%、14.0%的市場份額位列第四、第五位。
Counterpoint表示，由于中國智能手機市場2023年上半年的表現(xiàn)不盡人意，因此將該市場的2023全年預測，由“增長持平”下調(diào)至“同比低個位數(shù)下降”。雖然機構預計下半年智能手機銷量將比上半年有所改善，但影響上半年表現(xiàn)的挑戰(zhàn)因素繼續(xù)存在，暫未看到強勢的回升前景。
據(jù)臺媒電子時報報道，消息人士稱，如果沒有封裝設施，當臺積電在美國亞利桑那州和日本熊本的新晶圓廠在2024年底開始大規(guī)模生產(chǎn)時，芯片的最終封裝仍需要在中國臺灣完成，這使得他們的當?shù)厣a(chǎn)目標只能完成一半。
據(jù)悉，數(shù)月前英偉達AI GPU需求急速導致臺積電CoWoS先進封裝產(chǎn)能嚴重不足，近日臺積電總裁魏哲家坦言，先前與客戶電話會議，要求擴大CoWoS產(chǎn)能。設備廠商估算，臺積電2023年CoWoS總產(chǎn)能逾12萬片，2024年將沖上24萬片，其中，英偉達將取得14.4萬~15萬片。
上個月，臺積電董事長劉德音表示，臺積電自有先進封裝產(chǎn)能去年迄今幾乎翻倍增長，今年到明年若又要翻倍，“確實是挑戰(zhàn)”。為應對明年先進封裝的CoWoS產(chǎn)能擴產(chǎn)，甚至把一些InFO產(chǎn)能挪到南科去，臺積電希望能在龍?zhí)稊U張CoWoS產(chǎn)能，很多計劃都會積極推動，希望應對客戶即時需求。
盡管臺積電在最新的業(yè)績說明會中強調(diào)不認為在 AI 能在今年下半年驅(qū)動半導體需求恢復增長，但仍然為英偉達等主要AI芯片的客戶啟動了CoWoS產(chǎn)能擴張計劃。然而遠水救不了近火，CoWoS嚴重短缺的當下，誰有機會分得一杯羹？
緣何逆襲？2022年下半年以來，半導體行業(yè)景氣度急轉(zhuǎn)直下，過高的產(chǎn)業(yè)鏈庫存，使得除汽車領域之外的大部分代工、封測市場進入了產(chǎn)能過剩的狀態(tài)。近期TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，與前兩年的訂單滿載截然不同的是，當前各大晶圓廠的產(chǎn)能利用率未達到峰值。8英寸晶圓產(chǎn)線中，臺積電、聯(lián)電、世界先進、力積電和中芯國際（約當8英寸晶圓）的產(chǎn)能利用率預計分別下降至97%、80%、73%、86%和79.5%；12英寸晶圓產(chǎn)線，臺積電、三星、聯(lián)電產(chǎn)能利用率分別下降至96%、90%、92%。封測方面，IDC最新研究顯示，由于封測廠仍處于清庫存階段，上半年產(chǎn)能利用率大部分維持在50%-65%，隨著庫存調(diào)整后的需求溫和復蘇，下半年有望回升至60%-75%，甚至來自先進封裝的部分急單能讓產(chǎn)能利用率提升至80%，然而仍與2022年的70%-85%仍有差距。
然而就在這樣的頹勢下，臺積電連月來不斷傳出CoWoS先進封裝產(chǎn)能告急的聲音。究其原因，正是ChatGPT為代表的AIGC驅(qū)動英偉達、AMD等公司的高性能計算芯片GPU、CPU等需求井噴，而這些芯片大多采用了臺積電的CoWoS封裝。
TrendForce最新報告指出，目前主要由搭載英偉達A100、H100、AMD MI300，以及大型數(shù)據(jù)中心廠商如谷歌、AWS等自主研發(fā)的AI服務器成長需求強勁，預計2023年AI服務器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量預估近120萬臺，年增率近38%，AI芯片出貨量同步看漲，可望成長突破五成。
在全球?qū)τ贏I數(shù)據(jù)中心算力的旺盛需求推動下，英偉達的GPU訂單也在不斷飆升，其最高端的H100在明年第一季度之前都是售罄狀態(tài)。為此，英偉達近月來都在爭取臺積電對其A100、H100等AI GPU的產(chǎn)能支持，同時亞馬遜AWS、博通、思科和賽靈思等公司也都提高了對臺積電的產(chǎn)能需求。這些芯片無一例外都使用了臺積電的CoWoS封裝。
例如英偉達H100采用臺積電4N工藝、CoWoS-S 2.5D封裝。芯片流片在臺積電位于臺南的Fab 18廠，與其N5工藝共用相同的機臺，由于PC、智能手機和非AI相關數(shù)據(jù)中心芯片的需求嚴重疲軟，臺積電N5工藝的產(chǎn)能利用率降至70%以下，因此H100的晶圓生產(chǎn)沒有任何問題，甚至因吸收了臺積電的閑置先進產(chǎn)能而獲得一些定價優(yōu)勢。而這些流好片的晶圓（WIP）存放在晶圓庫中，等待CoWoS產(chǎn)能才能繼續(xù)封裝成為最后的成品。
供應鏈消息顯示，僅英偉達今年對CoWoS的需求就達到4.5萬片，比年初預計的3萬片大幅增加了50%，臺積電原本產(chǎn)能就不多的CoWoS濕制程更難以滿足如此龐大的需求。
除了CoWoS產(chǎn)能，HBM（高帶寬存儲）也正成為限制AI處理器的另一個重要瓶頸。用于數(shù)據(jù)中心中的GPU，擴展內(nèi)存帶寬越來越重要，尤其AI服務器中推理和訓練工作負載是內(nèi)存密集型的，隨著人工智能模型中參數(shù)量的指數(shù)級增長，僅模型權重參數(shù)的大小就已達到TB級。因此，AI處理器的性能受到從內(nèi)存中存儲和檢索訓練和推理數(shù)據(jù)的能力的制約，這就是俗稱的“內(nèi)存墻”問題。
集微分析師指出，由于HBM擁有比DDR SDRAM更高的帶寬和更低的耗能，已經(jīng)成為HPC處理器的首選內(nèi)存技術，現(xiàn)階段沒有其他替代選擇，在高端AI服務器GPU搭載HBM芯片更已是主流。比如英偉達A100，H100，以及在最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中，單顆芯片HBM搭載容量提升20％，達96GB；AMD更是大量采用HBM，其中MI300搭載HBM3，MI300A達128GB，更高端的MI300X則提升了50％，高達192GB。而谷歌在下半年推出的TPU張量處理器，據(jù)傳也搭載HBM存儲器，以擴建AI基礎設施。
這極大地推動了HBM的技術更新以及市場增長。作為新一代內(nèi)存解決方案，HBM市場被SK海力士、三星、美光三大DRAM原廠牢牢占據(jù)。TrendForce調(diào)查顯示，2022年HBM市占率分別為SK海力士50%、三星約40%、美光約10%，預計2023年全球HBM需求量將年增近六成，達到2.9億GB，2024年將再增長30%。
作為HBM的先驅(qū)，SK海力士在技術和市場占有率上都更勝一籌，是最新一代的HBM3的唯一大批量供應商，市場份額超過95%，今年將推出具備8Gbps數(shù)據(jù)傳輸性能的HBM3E樣品，并將于2024年投入量產(chǎn)。與此同時，三星和美光也將HBM作為下一步業(yè)務增長的關鍵動力。三星表示將投資1萬億韓元擴大HBM產(chǎn)能，并于今年推出HBM3產(chǎn)品；美光預計其相關HBM產(chǎn)品“將在2024財年貢獻有意義的收入，并在2025年貢獻大幅增加的收入”。
在存儲市場仍處于寒冬的背景下，幾大存儲廠商在過去一段時間都進行了減產(chǎn)動作，而HBM的需求突然降臨無疑被其視為“救命稻草”。不過，雖然這三大存儲芯片制造商正將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，預計未來兩年HBM供應仍將緊張。
由于GPU核心與HBM堆棧通過CoWoS封裝在同一基板上，HBM的產(chǎn)能緊張也在一定程度上限制了AI處理器的出貨。
在產(chǎn)能需求持續(xù)升級之下，臺積電才從一開始的保守轉(zhuǎn)而在Q2業(yè)績法說會上確認將積極擴充CoWoS產(chǎn)能，將投資900億元新臺幣(約28.7504億美元)打造位于竹科銅鑼園區(qū)的先進封裝廠，預計2026年底建廠完成、2027年第三季開始量產(chǎn)，月產(chǎn)能達11萬片12英寸晶圓，涵蓋SoIC、InFO以及CoWoS等先進封裝技術，同時將明年的CoWoS月產(chǎn)能提升至今年的2倍。CoWoS是臺積電于2011年發(fā)布的2.5D先進封裝技術，至今已演進至第六代，根據(jù)不同的中介層主要分為CoWoS-S（硅中介層）、CoWoS-R（RDL中介層）、CoWoS-L（LSI+RDL中介層）三種。
簡單來說，CoWoS是先將芯片通過Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把CoW芯片與基板連接，整合成CoWoS。利用這種封裝模式，使得多顆芯片可以封裝到一起，通過硅中介層互聯(lián)，達到了封裝體積小、功耗低、引腳少的效果。
“其核心關鍵技術包括中介層、RDL、TSV、μBump等，需要前后道工藝結(jié)合，挑戰(zhàn)在于散熱、芯片間的信號串擾和延遲、設計布局以及可靠性等問題?！奔⒆稍兎治鰩熤赋?。
多年來，臺積電針對CoWoS技術的開發(fā)重點之一是支持不斷增加的硅中介層尺寸，
目前，日月光、安靠、聯(lián)電和三星等廠商都被指因臺積電產(chǎn)能緊張而受益，那么究竟誰能分得一杯羹呢？根據(jù)臺媒消息，英偉達從6月下旬起，已開始推動臺積電向傳統(tǒng)封裝廠商合作伙伴發(fā)送硅中介層載板產(chǎn)能需求，并同步推動聯(lián)電擴大2024年硅中介層載板產(chǎn)能；同時近期安靠和日月光均在與CoWoS設備供應商密集洽談，很可能意味著將進行擴產(chǎn)。
先進封裝技術專家王為（化名）對集微網(wǎng)分析，CoWoS生產(chǎn)拆分成兩個部分是可行的，但是涉及到很多工藝的know-how，并且材料成本很貴，“能做”和“能做好”有很大的差別?！翱蛻舻腟oC Die、HBM堆棧等成本都很貴，如果良率不佳，將導致最終封測成品價格遠高于臺積電?！彼赋?，“如果一個完整流程涉及不同公司，或半成品在不同廠房之間運輸，也會帶來商務糾紛的風險以及運輸方面的麻煩?！?
比如聯(lián)電，最近在先進封裝方面頻頻發(fā)力。根據(jù)該公司官網(wǎng)資料，聯(lián)電是全球首個提供硅中介層制造開放解決方案的代工廠，即通過聯(lián)電+OSAT的合作模式，由聯(lián)電完成前段2.5D TSI硅中介層晶圓（FEoL+TSV+FS RDL），然后交由封測廠完成中段MEoL和后段BEoL工序。
在7月28日的日月光法說會上，該公司已經(jīng)證實，正在與代工廠合作中介層相關技術，并具備CoWoS整套制程的完整解決方案，預計今年下半年或明年初量產(chǎn)。
集微分析師指出，雖然各家的2.5D工藝，對應的中介層層數(shù)、TSV的尺寸、所用的材料、曝光次數(shù)及效率的差異都會影響最終成本，在某種程度上也是資金實力的競爭，因為高端設備十分昂貴，買得起更好的設備生產(chǎn)出來的產(chǎn)品也更好。在這方面，臺積電因為先進制程的優(yōu)勢自然也具備更高端的設備。“
需要在晶圓上對芯片進行更精確的堆疊和互連，因此更高精度的電鍍等先進設備必不可少?！崩?，硅中介層的最大尺寸受掩模版的曝光尺寸限制，因而與所用的光刻機種類相關。根據(jù)此前臺積電公布的CoWoS路線圖，今年推出的第六代CoWoS_S工藝，硅中介層尺寸達到了3400mm2左右，可支持更多HBM堆棧，而這無疑對光刻機提出了更高要求。此外，TSV的制作挑戰(zhàn)在于高深寬比的通孔和高密度引腳的對齊，生產(chǎn)過程中包括深孔刻蝕、氣相沉積、銅填充、CMP、晶圓減薄、晶圓鍵合等工藝涉及的設備均與TSV性能息息相關。
另一位業(yè)內(nèi)專家大可（化名）告訴集微網(wǎng)，與臺積電CoWoS類似的2.5D先進封裝技術還有三星的I-Cube/H-Cube、日月光的FOCoS-Bridge、英特爾的EMIB等。三星的I-Cube包括I-CubeS和I-CubeE量子方案，最新一代的I-CubeS，I-CubeS 8的硅中介層擁有3倍標線個邏輯裸片；I-CubeE支持嵌入式硅橋裸片，對大中介層而言，更具成本效益。H-Cube是三星推出的另一種2.5D封裝解決方案，主要是采用面積較小的ABF基板或FBGA基板疊加大面積的HDI基板的方式，來解決當前PCB嚴重短缺的問題。
“雖然三星在2.5D先進封裝方面已經(jīng)布局多年，百度2018年推出的第一代百度昆侖AI芯片正是基于三星14nm工藝及I-Cube封裝解決方案，但是前道代工業(yè)務較弱也在一定程度上影響了其先進封裝業(yè)務的進展，因而至今客戶仍然很少。”大可指出。不過隨著臺積電CoWoS短期內(nèi)難以滿足客戶需求，三星有希望能接到部分訂單，并且三星的優(yōu)勢在于它是唯一一家擁有從內(nèi)存，處理器芯片設計、制造到先進封裝業(yè)務組合的公司。
日月光方面，除了與代工廠合作完成2.5D封裝，也在開發(fā)自己的完整解決方案。該公司在今年5月底推出了FOCoS-Bridge，在70mmx78mm尺寸的大型高效能封裝載板中，包含兩顆相同尺寸47mmx31mm的FOCoS-Bridge的扇出型封裝結(jié)，可通過8個硅橋（Bridge)整合2顆ASIC和8個HBM堆棧，面向AI和HPC應用。日月光強調(diào)，F(xiàn)OCoS-Bridge可提供與硅中介層相似的電氣、信號和電源完整性性能，但成本更低，并且沒有掩模版尺寸限制。
最后，大陸整體封裝產(chǎn)業(yè)盡管已躍居全球領先地位，但是在以TSV為代表的2.5D/3D等先進封裝領域仍然較為薄弱。尤其當前采用2.5D/3D先進封裝的芯片都是前沿先進工藝制程，線寬和芯片間距越來越小，比如當下主流的HBM3對線μm，目前只有代工廠有能力在硅中介層上將線μm以下，封裝廠還不具備這一能力；國內(nèi)封測龍頭長電科技披露的XDFOI平臺當前可以實現(xiàn)3-4層高密度的RDL走線，其中介層線μm。
而根據(jù)集微咨詢發(fā)布《2022年中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)白皮書》，2022年中國大陸本士綜合性封測企業(yè)營收TOP10中，僅有長電科技、通富微電、華天已具備2.5/3D封裝能力。據(jù)悉，國內(nèi)在這一領域的主導者和主要推動者是H公司。
當越來越多的國產(chǎn)大模型進入到追趕GPT的隊伍中，在進口高性能AI處理器受限的情況下，國產(chǎn)GPU的發(fā)展有望迎來隨著巨大的算力需求缺口而產(chǎn)生蝶變，這就要求下游制造、封裝技術也盡快提升，為突破AI領域的封鎖補齊短板。并且，在國內(nèi)先進制程發(fā)展受阻的情況下，加速2.5/3D等先進封裝領域的追趕才能盡力彌補先進制程能力不足的遺憾。
據(jù)悉，印度卡納塔克邦已于2023年3月批準鴻海子公司投資800億盧比（約合9.72億美元）建廠，這也是繼安得拉邦和泰米爾納德邦之后，第三個允許富士康建廠的印度南部邦。
集微網(wǎng)了解到，有消息稱鴻海子公司工業(yè)富聯(lián)與泰米爾納德邦簽署了一項協(xié)議，計劃投資 160 億盧比建設一座新的電子元件制造工廠，該工廠將創(chuàng)造 6000 個就業(yè)崗位。不過這一消息尚未經(jīng)過官方確認。
