- 自2017年至今，近五年時(shí)間內(nèi)，全國(guó)超20個(gè)省、覆蓋超40個(gè)城市，新簽約落地第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目超60個(gè)，總投資金額超2000億元。
- 盡管全國(guó)已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多，但真正量產(chǎn)的并不多，加之下游應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場(chǎng)需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口。
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜，全球資本加速進(jìn)入，產(chǎn)業(yè)、資本同處“搶跑”階段。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體主要企業(yè)大力完善產(chǎn)業(yè)布局，通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域、整合并購(gòu)等方式，逐步建立行業(yè)壁壘。而國(guó)內(nèi)企業(yè)強(qiáng)化布局，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極速擴(kuò)張，產(chǎn)線陸續(xù)落地、投產(chǎn)，產(chǎn)能逐步釋放，但目前供給存在不足。
集微咨詢（JW insights）觀察，盡管我國(guó)布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已多年，但新一輪的產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張，始于2017年前后，2018年擴(kuò)張態(tài)勢(shì)加速明顯。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告（2017）”顯示，2017年屬于第三代半導(dǎo)體材料的新時(shí)代正在開啟。2017年，無論是在國(guó)際還是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)端推進(jìn)速度顯著加快，使得2017年成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品開始實(shí)質(zhì)性市場(chǎng)滲透的一年。
同時(shí)，2017年，國(guó)內(nèi)投資擴(kuò)產(chǎn)熱度空前，擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目共計(jì)10起，總投資金額達(dá)到700億元之巨，充分凸顯在“大基金”帶動(dòng)下，國(guó)家、地方、企業(yè)聯(lián)動(dòng)的投融資生態(tài)圈正在發(fā)揮積極作用。
集微咨詢（JW insights）數(shù)據(jù)顯示，自2017年至今，近五年時(shí)間內(nèi)，全國(guó)超20個(gè)省、覆蓋超40個(gè)城市，新簽約落地第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目超60個(gè)，總投資金額超2000億元。
集微咨詢（JW insights）不完全統(tǒng)計(jì)，2019年，新簽約第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目超6個(gè)，其中披露投資額的項(xiàng)目中，4個(gè)項(xiàng)目投資額為10億元左右，鮮有百億級(jí)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目落地。
2020年開始，百億級(jí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目（含產(chǎn)業(yè)園）紛紛簽約落地，當(dāng)年新簽項(xiàng)目超15個(gè)（含產(chǎn)業(yè)園），總投資額超800億元，超百億元項(xiàng)目數(shù)占比超25%。
2021年上半年，新簽約第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目已超11個(gè)，全年有超越2020年簽約數(shù)量之勢(shì)，但總投資規(guī)?？蛛y及2020年。今年新簽約第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，披露投資額的極少，從項(xiàng)目信息可判斷，投資額超百萬(wàn)的項(xiàng)目占比或低于15%。
集微咨詢（JW insights）統(tǒng)計(jì)，近5年簽約落地項(xiàng)目中，GaN項(xiàng)目數(shù)量占比30%，SiC項(xiàng)目數(shù)量占比63%，其他合并項(xiàng)目數(shù)量占比7%。
從投資額看，SiC項(xiàng)目總投資金額占比約73%，GaN項(xiàng)目總投資金額占比18.7%，其他合并項(xiàng)目投資占比8.1%。
在落地項(xiàng)目“爆發(fā)增長(zhǎng)”的2020年，第三代半導(dǎo)體落地項(xiàng)目中，SiC項(xiàng)目數(shù)占比約68%，GaN項(xiàng)目數(shù)占比約23%，其他合并項(xiàng)目占比約為9%。
集微咨詢（JW insights）認(rèn)為，以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體在新能源汽車、5G等領(lǐng)域不斷取得突破，2020 年全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)總體保持增長(zhǎng)，受益于電力電子市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、政策紅利加持、民間資本關(guān)注等因素，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目也于2020年呈現(xiàn)“爆發(fā)性”落地。經(jīng)過幾年的發(fā)展，進(jìn)入2021年后，第三代半導(dǎo)體落地項(xiàng)目漸有降溫趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望逐漸由“導(dǎo)入期” 向“成長(zhǎng)期”過渡。
從10億元產(chǎn)線到百億級(jí)巨頭落地，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，龍頭企業(yè)地位逐漸確立，卡位爭(zhēng)奪日趨激烈。
近五年，新簽約第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目超70個(gè)，其中百億元以上的項(xiàng)目占比7%，50億元以上占比12%，涌現(xiàn)三安、天岳等龍頭。
同樣，也不乏類似中鴻新晶等投資額巨大，但項(xiàng)目背后實(shí)力及進(jìn)展信息較少的項(xiàng)目。
集微咨詢（JW insights）認(rèn)為，如今第三代半導(dǎo)體在中國(guó)可謂是炙手可熱、遍地開花。
目前，國(guó)內(nèi)SiC商業(yè)化導(dǎo)電型襯底與以4英寸為主，逐步向6英寸過渡；半絕緣襯底以4英寸為主。能批量生產(chǎn) SiC 單晶襯底的公司主要有天科合達(dá)、山東天岳、爍科晶體、同光晶體、中科鋼研、世紀(jì)金光、中電化合物等公司。SiC 外延片方面，瀚天天成、東莞天域除滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求外，還有部分外銷能力。中電科55 所、中電科13所具備SiC外延生產(chǎn)能力，但主要是自用。
國(guó)內(nèi)商業(yè)化的GaN襯底尺寸以2英寸為主，4英寸實(shí)現(xiàn)小批量出貨，Si基GaN外延片主流尺寸為6英寸，英諾賽科率先實(shí)現(xiàn)8英寸GaN-on-Si外延材料及晶圓制造大規(guī)模量產(chǎn)。
盡管全國(guó)已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多，但由于產(chǎn)線建設(shè)調(diào)試周期較長(zhǎng)、項(xiàng)目爛尾等問題，真正量產(chǎn)的并不多；加之下游應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場(chǎng)需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口，且國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品成本、性能等方面競(jìng)爭(zhēng)力不足，因此，我國(guó)第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率較低，有數(shù)據(jù)顯示，目前超過八成的產(chǎn)品依賴進(jìn)口。
集微咨詢（JW insights）認(rèn)為，伴隨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線大量落地、企業(yè)成長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動(dòng)加強(qiáng)，加速產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建。我國(guó)第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的自主保障能力將得到增強(qiáng)，但國(guó)內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較國(guó)際巨頭仍有差距。
國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資活躍度不斷走高，受益于政策驅(qū)動(dòng)與市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，資本市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信心持續(xù)增長(zhǎng)。集微咨詢（JW insights）統(tǒng)計(jì)顯示，2020年國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域完成融資近20筆，為六年來最高。截至8月3日，2021年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域完成融資超15筆，下半年資金有望持續(xù)涌入該賽道，助推融資數(shù)量攀升至新高，進(jìn)一步推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)駛?cè)氤砷L(zhǎng)快車道。
集微咨詢（JW insights）統(tǒng)計(jì)顯示，2020年開始，第三代半導(dǎo)體成為融資熱門賽道，融資企業(yè)數(shù)與融資額不斷攀升，其中比亞迪半導(dǎo)體在2020年完成多輪融資，A輪及A+輪融資額分別為19億元、8億元。2021年，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資勢(shì)頭比2020稍有減緩。
集微網(wǎng)報(bào)道，隨著4G向5G轉(zhuǎn)型升級(jí)，Wi-Fi從802.11ac演進(jìn)到802.11ax(Wi-Fi 6)標(biāo)準(zhǔn)，無線通訊射頻前端模塊需求明顯增長(zhǎng)，未來全球射頻前端市場(chǎng)將迎來大規(guī)模擴(kuò)張。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2023年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至313.10億美元。此外，受中美貿(mào)易摩擦的影響，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)，國(guó)內(nèi)射頻前端產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展的絕佳機(jī)會(huì)。
日前，芯百特在集成電路人才聚集的上海市設(shè)立了研發(fā)運(yùn)營(yíng)中心并開始運(yùn)營(yíng)，標(biāo)志著公司影響力將持續(xù)擴(kuò)大，對(duì)于提升自身研發(fā)創(chuàng)新能力也具有重要和長(zhǎng)遠(yuǎn)的意義。同時(shí)，通過與長(zhǎng)三角上下游重要客戶開展更加緊密的合作，也促使其業(yè)務(wù)得以實(shí)現(xiàn)快速擴(kuò)張。
此次設(shè)立的上海研發(fā)運(yùn)營(yíng)中心位于浦東新區(qū)星創(chuàng)科技廣場(chǎng)，核心團(tuán)隊(duì)成員均來自國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的集成電路企業(yè)Qualcomm、Qorvo、Skyworks、MTK、卓勝微、長(zhǎng)電科技、銳迪科等，在射頻前端芯片研發(fā)、封裝、系統(tǒng)集成、銷售、服務(wù)等方面，均有非常豐富的經(jīng)驗(yàn)。
據(jù)悉，芯百特專注于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的芯片設(shè)計(jì)行業(yè)，產(chǎn)品聚焦于新一代無線通訊行業(yè)的射頻前端芯片，適用于5G、Wi-Fi、IoT等多項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、通訊設(shè)備、醫(yī)療電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等領(lǐng)域。自2018年成立以來，芯百特已成功開發(fā)了接近50款射頻前端芯片， Wi-Fi FEM、Small Cell、UWB定位等產(chǎn)品市場(chǎng)占有率處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，部分產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
在資本的助力下，芯百特完成A輪和A+輪近5,000萬(wàn)元人民幣以及B輪近2億元人民幣的融資，進(jìn)一步夯實(shí)資金實(shí)力和生產(chǎn)動(dòng)力，有效助推其在國(guó)產(chǎn)芯片市場(chǎng)中脫穎而出。
技術(shù)和實(shí)力加身的芯百特因此交出了滿意的答卷，目前，其產(chǎn)品主要包括三大類：Wi-Fi FEM主要應(yīng)用在路由器網(wǎng)通市場(chǎng)；5G Small Cell主要以微基站客戶為主；定制類產(chǎn)品包含UWB等市場(chǎng)。在這當(dāng)中，芯百特Wi-Fi FEM產(chǎn)品覆蓋Wi-Fi 4/5/6全系列標(biāo)準(zhǔn)，以及不同功率等級(jí)和封裝尺寸，為不同客戶應(yīng)用場(chǎng)景提供優(yōu)化。5G小基站產(chǎn)品覆蓋4G/5G等主流國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)頻段，滿足移動(dòng)、聯(lián)通和電信規(guī)劃的5G小基站的頻段需求。UWB產(chǎn)品定位精度高、安全性高、傳輸速度高、功耗極低、抗干擾能力強(qiáng)。
9月12日，據(jù)中國(guó)信息通信研究院院長(zhǎng)、黨委副書記余曉暉表示，2021年上半年，全球出現(xiàn)了一輪“缺芯危機(jī)”，其中全球手機(jī)芯片的供貨周期從3個(gè)月延長(zhǎng)到12個(gè)月，主要原因是新的數(shù)字終端對(duì)芯片的需求出現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，尤其是5G手機(jī)對(duì)射頻前端器件的需求量增加超過50%。
在芯片缺貨浪潮下，保證有“好芯”可用，且客戶訂單能夠按時(shí)交付的背后，離不開芯百特的提前布局與運(yùn)籌帷幄。芯百特首先在晶圓廠產(chǎn)能上做了充足的備貨準(zhǔn)備，其次在封裝廠投入自購(gòu)測(cè)試設(shè)備，以保障可控交期。面對(duì)當(dāng)前芯片缺貨問題，芯百特此前曾對(duì)集微網(wǎng)表示，將積極配合客戶需求積極備貨，緩解客戶的供應(yīng)壓力?！耙环矫鏁?huì)緊密跟進(jìn)客戶需求，做好市場(chǎng)需求量的預(yù)估；另一方面從晶圓到封測(cè)做好充分的預(yù)警機(jī)制，最大程度避免缺貨。”
“缺芯”背后也暗藏機(jī)遇，隨著5G的商用和普及，以及在移動(dòng)終端設(shè)備設(shè)計(jì)持續(xù)小型化的趨勢(shì)下，射頻前端市場(chǎng)將日益蓬勃發(fā)展。Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年至2025年間，射頻前端和連接市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)CAGR為11%的增長(zhǎng)，也就是說，2025年全球移動(dòng)射頻前端市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到254億美元，而FEM模塊市場(chǎng)將從2019年的26億美元增長(zhǎng)到2025年的46億美元。
在巨大的市場(chǎng)需求刺激之下，射頻行業(yè)有望進(jìn)入黃金期，與此同時(shí)，由于射頻前端芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)需要深厚的工藝經(jīng)驗(yàn)和實(shí)踐積累，縱觀全球射頻前端市場(chǎng)，目前仍被美系和日系企業(yè)占據(jù)較大市場(chǎng)份額。Yole Development數(shù)據(jù)顯示，2019年全球前五大射頻器件提供商占據(jù)了射頻前端市場(chǎng)份額的79%，其中包括 Murata（23%）、Skyworks（18%）、Broadcom（14%）、Qorvo（13%）和Qualcomm（11%）。
隨著我國(guó)集成電路需求的不斷增長(zhǎng)、國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)日益重視，我國(guó)射頻前端產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了高速發(fā)展，射頻前端器件的國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)也愈演愈烈，都為國(guó)內(nèi)射頻廠商提供了極大的發(fā)展機(jī)遇。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的射頻企業(yè)之一，為順應(yīng)2022年晶圓供應(yīng)的持續(xù)緊張，以及疫情明朗后市場(chǎng)復(fù)蘇對(duì)芯片的爆發(fā)性增長(zhǎng)需求，芯百特大幅增加了人力和財(cái)力的投入，用以保證合作伙伴有“芯”可用，保障客戶“好芯”能用！
在研發(fā)實(shí)力方面，芯百特的技術(shù)團(tuán)隊(duì)在多家世界領(lǐng)先的集成電路企業(yè)（Qualcomm、Qorvo、Skyworks、Samsung等）工作多年，具有豐富的設(shè)計(jì)、封裝、系統(tǒng)集成經(jīng)驗(yàn)，與國(guó)際領(lǐng)先的晶圓廠、封測(cè)廠共同研發(fā)的系列產(chǎn)品、方案均達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。團(tuán)隊(duì)具備CMOS/SOI/GaAs/SiGe/GaN等多種工藝，以及PA/LNA/SW/FEM/Filter/MEMS等多種器件的設(shè)計(jì)能力，能夠兼顧性能和成本，提出創(chuàng)新的設(shè)計(jì)方案，目前公司具有全面的射頻測(cè)試設(shè)備，并配有WB潔凈室、微組裝和測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。
芯百特此次設(shè)立的上海研發(fā)運(yùn)營(yíng)中心擁有良好的創(chuàng)新氛圍。按照公司的總體戰(zhàn)略，海納百川，組建嶄新的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，吸引高水平的集成電路設(shè)計(jì)人才和有識(shí)之士，不斷拓展公司的產(chǎn)品線，為客戶提供種類更加齊全、品質(zhì)更加優(yōu)良的國(guó)產(chǎn)射頻前端芯片產(chǎn)品。
一路高歌猛進(jìn)的芯百特，在擴(kuò)大企業(yè)規(guī)模、拓展產(chǎn)品線的同時(shí)，對(duì)相關(guān)人才的需求自然也日益提升，暖心的福利待遇和極富競(jìng)爭(zhēng)力的薪資凸顯了公司對(duì)人才這一核心競(jìng)爭(zhēng)力的高度重視與誠(chéng)意。
2. 休息：每周六和周日、法定節(jié)假日、帶薪年休假、婚嫁、喪假、產(chǎn)假等假期；
5. 年終的驚喜：為了感恩小可愛們的辛勤付出，公司會(huì)根據(jù)經(jīng)營(yíng)情況及結(jié)合員工自身情況來發(fā)放年終獎(jiǎng)；
7. 就愛出去玩：下午茶、生日會(huì)、節(jié)日活動(dòng)、員工聚餐、戶外拓展、員工旅游等；
8. 數(shù)不清的禮物和獎(jiǎng)金：三八、端午、中秋、春節(jié)、生日等發(fā)放HR精心挑選的禮物，還有非?？捎^的季度大獎(jiǎng)等你來拿哦；
隨著上海研發(fā)運(yùn)營(yíng)中心的成立，芯百特必將在無線射頻前端領(lǐng)域取得更大的突破和進(jìn)展，繼續(xù)引領(lǐng)射頻前端芯片設(shè)計(jì)，并在國(guó)產(chǎn)替代浪潮中乘勢(shì)突圍，建立“芯”壁壘，造就“中國(guó)芯”。
2. 負(fù)責(zé)與研發(fā)團(tuán)隊(duì)合作優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)、封裝BOM和制程優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良好的品質(zhì)與可靠性性能；
4. 超Design產(chǎn)品的風(fēng)險(xiǎn)，方案設(shè)計(jì)優(yōu)化，確保有效的驗(yàn)證與監(jiān)控評(píng)估；
1. 熟悉各項(xiàng)射頻指標(biāo)（功率、增益、EVM、ACPR、諧波等）及對(duì)應(yīng)測(cè)量方式；
4. 熟悉各種射頻測(cè)試機(jī)臺(tái)（NI、PACS、凌測(cè)）的程序開發(fā)和調(diào)試（程序開發(fā)可由原廠或測(cè)試廠幫助）；
5. 了解測(cè)試廠的相應(yīng)測(cè)試環(huán)境（轉(zhuǎn)塔/分選機(jī)/導(dǎo)軌/振動(dòng)碗/socket/ATE/支架等），可以解決簡(jiǎn)單問題；
2. 負(fù)責(zé)RF器件和電路版圖設(shè)計(jì)和封裝仿線. 負(fù)責(zé)射頻電路及模塊的實(shí)驗(yàn)室調(diào)試和封裝驗(yàn)證，撰寫測(cè)試文檔記錄；
1. 本科生及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體物理和微電子等相關(guān)專業(yè)的優(yōu)先，五年以上工作經(jīng)歷；
2. 熟悉微波射頻/電磁場(chǎng)、 模擬電路、信號(hào)與系統(tǒng)、通信系統(tǒng)相關(guān)知識(shí)的優(yōu)先；
4. 熟練使用ADS, Cadence和HFSS等設(shè)計(jì)工具及常用測(cè)試設(shè)備，較強(qiáng)的版圖設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和電路測(cè)試分析能力的優(yōu)先；
7. 熟練掌握實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備操作和流程，包括網(wǎng)分，頻譜儀，信號(hào)源，綜測(cè)儀，探針臺(tái)等的優(yōu)先。
1. 熟悉公司產(chǎn)品的指標(biāo)參數(shù)，配合銷售一起產(chǎn)品推廣，積極與客戶端溝通，建立良好的合作關(guān)系；
2. 負(fù)責(zé)客戶項(xiàng)目的技術(shù)支持，支持項(xiàng)目的design-in，跟進(jìn)客戶的項(xiàng)目的進(jìn)度；
1. 本科及以上學(xué)歷，電子相關(guān)專業(yè)，熟悉射頻電路理論，具有PA、LNA、Filter等電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)以及相關(guān)背景；
5. 熟悉原理圖及PCB繪制等相關(guān)軟件工具，能夠完成簡(jiǎn)單的電路設(shè)計(jì)及修改；
7. 具有積極主動(dòng)的工作態(tài)度，能吃苦耐勞。有良好的人際關(guān)系能力以及良好團(tuán)隊(duì)合作能力；
2. 較強(qiáng)的協(xié)同管理與應(yīng)變能力，合理協(xié)助相關(guān)部門做好實(shí)驗(yàn)室部分的組裝、測(cè)試工作；
2. 具有射頻，微波和無線通信的背景知識(shí)，對(duì)IEEE802.11/3GPP等協(xié)議及標(biāo)準(zhǔn)，有一定的了解；
3. 能夠熟練使用頻譜儀，信號(hào)源，網(wǎng)分，wifi測(cè)試儀等，進(jìn)行射頻性能的調(diào)試和測(cè)試；
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集微網(wǎng)消息，據(jù)路透社報(bào)道，美國(guó)總統(tǒng)拜登提名的商務(wù)部主管出口政策官員的Alan Estevez周二表示，他將中國(guó)電信公司華為視為國(guó)家安全威脅，并希望將其留在貿(mào)易黑名單，除非“事情出現(xiàn)變化”。
不過，他也承諾查看榮耀終端公司（從華為分拆出來的手機(jī)部門），審查華為是否正在使用分拆品牌來最小化或規(guī)避自己的黑名單影響。
華為于 2019 年因國(guó)家安全問題被美國(guó)前特朗普政府列入貿(mào)易黑名單，迫使供應(yīng)商申請(qǐng)向其銷售產(chǎn)品的特殊許可。
該公司去年 11 月表示，由于其手機(jī)業(yè)務(wù)“持續(xù)缺乏所需的技術(shù)元素”，其消費(fèi)者業(yè)務(wù)面臨巨大壓力，并決定出售其榮耀資產(chǎn)。
《華盛頓郵報(bào)》報(bào)道稱，在立法者上個(gè)月致美國(guó)商務(wù)部部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 的一封信中，立法者對(duì)該公司提出質(zhì)疑后，政府正在考慮是否將榮耀列入黑名單。
華為拒絕置評(píng)，路透社援引此前一份聲明稱，華為不會(huì)持有新公司的任何股份，也不會(huì)參與新公司的任何業(yè)務(wù)管理活動(dòng)。榮耀沒有立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。
英特爾GPU長(zhǎng)期委由臺(tái)積電操刀，其中Intel Arc品牌的繪圖處理器（GPU）日前已委由臺(tái)積電6納米操刀生產(chǎn)，英特爾高級(jí)主管近期再度接受海內(nèi)外媒體訪問時(shí)透露決策的關(guān)鍵原因：產(chǎn)能。
英特爾日前在8月召開的架構(gòu)日已宣布擴(kuò)大與臺(tái)積電在7納米、6納米、5納米等先進(jìn)制程合作關(guān)系，包含Ponte Vecchio資料中心處理器與Arc Alchemist繪圖處理器，其中Alchemist繪圖處理器委由臺(tái)積電以6納米制程操刀生產(chǎn)。
外界關(guān)注相關(guān)決策，英特爾首席架構(gòu)師暨資深副總裁Raja Kodur 提到，主要是考慮產(chǎn)能，英特爾和臺(tái)積電簽訂6納米制程制造Arc GPU的決定主要是考慮到生產(chǎn)力，具體而言，如果英特爾要自行生產(chǎn)該款產(chǎn)品，就需要減少其他芯片的生產(chǎn)，否則沒有足夠的產(chǎn)能。
面對(duì)媒體詢問，Raja也說，委外生產(chǎn)有三個(gè)考慮要素，其中首要確定設(shè)計(jì)最初的生產(chǎn)能力，而英特爾先進(jìn)制程目前還沒有足夠的產(chǎn)能。另外其他特性如用量、成本都是重要因素，至于決定何種制程生產(chǎn)則考慮三個(gè)因素，即成本、性能、產(chǎn)能。
集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道，日本制造商正尋求在芯片和電動(dòng)汽車的先進(jìn)材料領(lǐng)域占據(jù)更大的份額，這是陷入美國(guó)和中國(guó)之間大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵出口部門。
住友金屬礦業(yè)將從本財(cái)年開始為功率控制半導(dǎo)體供應(yīng)碳化硅芯片。與硅襯底相比，由碳化硅制成的襯底可以承受更高的電壓。它們將功率損耗降低了大約 10%，從而延長(zhǎng)了電動(dòng)汽車的行駛里程，預(yù)計(jì)價(jià)格也將下降 10% 至 20%。
王子控股決定提高汽車領(lǐng)域薄膜電容器材料的產(chǎn)量。Nippon Paper 和 Oji 正在積極進(jìn)軍電動(dòng)汽車領(lǐng)域，以抵消對(duì)紙張需求的下滑。
Nippon Paper Industries 專注于通過對(duì)紙質(zhì)材料進(jìn)行改性而創(chuàng)造的一種環(huán)保電池材料。羧甲基纖維素的生產(chǎn)將在 11 月大幅擴(kuò)大，以滿足對(duì)電動(dòng)汽車電池陽(yáng)極材料日益增長(zhǎng)的需求。與 2020 財(cái)年相比，產(chǎn)能將增加大約五倍。（校對(duì)/Jouvet）
